Görsel mevcut değil
BFT19B
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR
BFT19B Hakkında
BFT19B, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar transistördür. 400V collector-emitter breakdown voltajına sahip bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-39 metal can paketinde sunulan komponent, maksimum 1A collector akımı ve 1W güç yönetim kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 5mA collector akımında 10V Vce'de minimum 25 değerine ulaşır. Vce saturation voltajı 3mA base akımında 30mA collector akımında maksimum 2.5V olarak belirtilmiştir. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulamalar için uygunluk sağlar. Through-hole montaj tipiyle eski tasarımlar ve prototype uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Güç amplifikasyon, switching ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 5mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-205AD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V