Görsel mevcut değil
BFN18H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT89-4
BFN18H6327XTSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen BFN18H6327XTSA1, düşük sinyal frekans uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. TO-243AA (SOT89-4) surface mount paketi ile sunulan bu transistör, 70MHz transition frequency özelliği ile RF ve AF (ses frekansı) devrelerinde kullanılır. Maksimum collector akımı 200mA, collector-emitter saturation voltajı 500mV (2mA, 20mA koşullarında) ve 300V breakdown voltajı özelliğine sahiptir. 1.5W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ve 30@30mA, 10V koşullarında minimum 30 DC current gain değeri ile genel sinyal amplifikasyon, switches ve impedans matching uygulamalarında kullanıma uygundur. Sıcaklık koşulu altında 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition
70MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
PG-SOT89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V