Görsel mevcut değil
BF423,112
- Üretici
- NXP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 250V 0.05A SOT54
BF423,112 Hakkında
BF423,112, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paket içinde gelen bu komponent, 250V maksimum collector-emitter voltajında ve 50mA collector akımında çalışabilir. 60MHz transition frequency ve 50 minimum DC current gain (hFE) karakteristiğine sahiptir. 830mW maksimum güç tüketimi ile düşük sinyalli uygulamalarda, audio amplifikatörlerde, sinyal şekillendirmede ve ayrık transistör devrelerinde kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda uygulanabilir. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel devre kartlarında kolaylıkla entegre edilebilir. Ürün stok dışı (Obsolete) olup yerini daha modern çözümler almıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 25mA, 20V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
830 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V