Görsel mevcut değil
BDX33DS
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-220
- Açıklama
- NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
- Ürün Ailesi
- BDX33
BDX33DS Hakkında
BDX33DS, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon Darlington transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10A collector akımı ve 120V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak için tasarlanmıştır. 750 minimum DC current gain (hFE) değeri ile yüksek amplifikasyon sağlar. 2W maksimum güç ve -65°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında motor kontrolü, aydınlatma kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-220 paketinin through-hole montajı, konvansiyonel PCB tasarımlarında kolay entegrasyon sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 6mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V