Görsel mevcut değil
BDX33C
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX33C Hakkında
BDX33C, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon Darlington transistörüdür. Yüksek akım kazancı (minimum 750 @ 3A, 3V) ve 10A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 70W maksimum güç tüketimine sahip bu transistör, motor kontrolleri, solenoid sürücüleri, LED driver devreleri ve güç amplifikatörü uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan BDX33C, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 150°C işletme sıcaklığı limiti ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. Düşük base akımı gereksinimi sayesinde logic seviyesi sürücülerden doğrudan kontrol edilebilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
70 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 6mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V