Görsel mevcut değil
BDV65B
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
BDV65B Hakkında
BDV65B, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 10A maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile yüksek akım kazancı sağlar. TO-218-3 paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığında ve 125W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel motor kontrol, aydınlatma kontrol, güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 2V maksimum doyum voltajı düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-218-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
SOT-93
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 20mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V