Görsel mevcut değil
BDV65B
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER TRANSISTOR NPN TO218
BDV65B Hakkında
BDV65B, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN tipinde bir power transistördür. TO-218-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 12A collector akımı, 125W güç dağıtım kapasitesi ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç seviyesi anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. 60MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler. DC current gain (hFE) minimum değeri 5A ve 4V koşullarında 1000'dir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve benzer uygulamalarda kullanılan bu transistör şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-218
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V