Görsel mevcut değil
BDV65
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 12A TO218
BDV65 Hakkında
BDV65, NTE Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 12 A maksimum kolektör akımı ve 60 V kırılma voltajı ile güç amplifikasyon, anahtarlama ve DC kazanç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 60 MHz transition frequency ile bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve ses amplifikatörü devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. TO-218-3 paketinde sunulan bileşen, 125 W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir ve through-hole montajına uyumludur.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition
60MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
TO-218
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V