Görsel mevcut değil
BDP954H6327XTSA1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- AF TRANSISTORS
BDP954H6327XTSA1 Hakkında
BDP954H6327XTSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT). TO-261-4 surface mount paketinde sunulan bu komponent, audiofrekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. Maksimum 3A collector akımı, 100MHz transition frequency ve 5W güç derecelendirmesi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı (2A, 200mA koşullarında) ile güvenilir çalışma sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, DC current gain minimum 85 (500mA, 1V koşullarında) değerine sahiptir. Kontrol devreleri, sürücü uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon yapılarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V