Görsel mevcut değil
BDP954H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 100V 3A SOT223
BDP954H6327XTSA1 Hakkında
BDP954H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT223 yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 100V kolektör-emitör voltajında 3A kolektör akımını destekler. 100MHz transition frequency ile orta-hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 5W maksimum güç tüketimine sahip olan transistör, 150°C çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Vce doyma voltajı 500mV @ 2A olarak belirlenmiştir. Endüstriyel kontrol devreleri, ses amplifikatörleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı güç amplifikasyonu gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V