Görsel mevcut değil
BDP953H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 100V 3A SOT223
BDP953H6327XTSA1 Hakkında
BDP953H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 100V maksimum Vce derecelendirmesi ve 3A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. SOT223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 500mV maksimum doyma voltajı ve 100MHz geçiş frekansı özellikleri ile düşük seviyeli sinyaller için uygun sürücü uygulamalarında kullanılmaktadır. 5W maksimum güç derecelendirmesi ve 150°C çalışma sıcaklığı, endüstriyel ve tüketici elektronik devrelerinde anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanım sağlamaktadır. Bileşen yeni tasarımlar için artık tercih edilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V