Görsel mevcut değil
BDP950H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 3A SOT223
BDP950H6327XTSA1 Hakkında
BDP950H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöre (BJT) sahip yüksek akım kapasiteli bir transistördür. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60V kollektör-emitör gerilimi ve 3A kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency değerine sahip olan transistör, 5W güç taşıyabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Vce saturation voltajı 500mV (2A/200mA'de) olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ses amplifikasyon devrelerinde kullanılır. TO-261-4 paket yapısı kompakt tasarımlara uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V