Görsel mevcut değil
BDP950H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 3A SOT223
- Ürün Ailesi
- BDP950
BDP950H6327XTSA1 Hakkında
BDP950H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistöre (BJT) sahip yüksek akım kapasiteli bir transistördür. SOT223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 60V kollektör-emitör gerilimi ve 3A kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency değerine sahip olan transistör, 5W güç taşıyabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Vce saturation voltajı 500mV (2A/200mA'de) olan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve ses amplifikasyon devrelerinde kullanılır. TO-261-4 paket yapısı kompakt tasarımlara uygun olup, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
