Görsel mevcut değil
BDP950E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 3A SOT-223
BDP950E6327HTSA1 Hakkında
BDP950E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-223 yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. Maksimum 60V kolektör-emitter gerilimi ve 3A kolektör akımı ile tasarlanmış olan bu transistör, 5W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 100MHz geçiş frekansı ve 85 minimum DC akım kazancı (hFE) değerleri ile, orta güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Doyum gerilimi (Vce sat) 500mV olup, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde etkin bir şekilde çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve sesli amplifikatörlerde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V