Görsel mevcut değil
BDP949H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A SOT223
BDP949H6327XTSA1 Hakkında
BDP949H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3A maksimum kolektör akımı ve 5W güç derecelendirmesi ile, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde görev yapar. 100MHz transition frequency özelliği ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. SOT223 yüzey montaj paketi, kompakt PCB tasarımları için idealdir. 500mV doyum gerilimi ile düşük güç kaybı sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V