Görsel mevcut değil
BDP949E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A SOT-223
BDP949E6327HTSA1 Hakkında
BDP949E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 60V maksimum Vce ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) ile sahiptir. 5W maksimum güç kapasitesi ile motor sürücüleri, aydınlatma kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. İşletim sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Düşük 500mV saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
5 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V