Görsel mevcut değil
BD809G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 10A TO220AB
BD809G Hakkında
BD809G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 80V kollektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kollektör akımı ile orta güçlü uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 90W maksimum güç yeteneği ve 1.5MHz transition frekansıyla anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş uygulama yelpazesini destekler. 1.1V doyum gerilimi ve 15 minimum DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 4A, 2V
Frequency - Transition
1.5MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
90 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.1V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V