Görsel mevcut değil
BD277
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BD277 Hakkında
BD277, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP epitaxial silicon transistöründür. TO-220-3 pakette sunulan bu transistör, maksimum 7A collector akımı ve 70W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 10MHz transition frequency'ye sahiptir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. DC current gain (hFE) 1.75A ve 2V koşullarında minimum 30 değerini sağlar. Düşük Vce saturation voltajı (500mV @ 100mA, 1.75A) ile verimli anahtarlama performansı sunar. Güç amplifikatörleri, motor sürücüleri, ses amplifikatörleri ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montaj tipi ile PCB üzerine entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1.75A, 2V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
70 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1.75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V