Görsel mevcut değil
BD245B-S
- Üretici
- Bourns
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 10A
BD245B-S Hakkında
BD245B-S, Bourns tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 10A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-218-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 3W maksimum güç yayınlama kapasitesi ve -65°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel uygulamalarda yer bulur. Saturasyon voltajı 4V maksimum olup, DC current gain (hFE) 20 minimum değerdedir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB üretim yöntemlerine uygundur. Lütfen dikkat: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete status).
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 3A, 4V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-218-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
SOT-93
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 2.5A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V