Görsel mevcut değil
BD239BTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
BD239BTU Hakkında
BD239BTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi power bipolar transistör (BJT) olup, 30W güç kapasitesiyle orta ölçekli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2A collector akımı, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve TO-220-3 through-hole paketlemesi ile güç elektronikleri, motor kontrol devresi, güç yönetimi ve aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C maksimum junksiyon sıcaklığında çalışabilir ve 700mV saturation voltajı ile verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V