Görsel mevcut değil
BD159G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 500MA TO225AA
BD159G Hakkında
BD159G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar bağlantı transistörüdür. 350V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA collector akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 20W maksimum güç disipasyonu ve 30 minimum DC current gain özelliğine sahiptir. TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu transistör, -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında sorunsuz performans gösterir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through hole montajı ile PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V