Görsel mevcut değil
BD13910S
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1.5A TO126-3
BD13910S Hakkında
BD13910S, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5A maksimum collector akımı ve 1.25W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarı uygulamaları ve genel sinyal amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. TO-126-3 (TO-225AA) through-hole paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 63 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtarlama özelliği sunar. ICBO 100nA'da sınırlı sızıntı akımı, termal kararlılığı arttırır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
1.25 W
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V