Görsel mevcut değil
BCY59-VIII PBFREE
- Üretici
- Central Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
BCY59-VIII PBFREE Hakkında
BCY59-VIII PBFREE, Central Semiconductor tarafından üretilen TO-18 metal kaplı through-hole NPN bipolar transistördür. 100mA maksimum collector akımı, 180 minimum DC current gain (hFE @ 2mA, 5V) ve 150MHz transition frequency özellikleriyle sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 45V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 1W maksimum güç derecelendirmesi ile orta güçlü RF ve IF amplifikatör devreleri, zayıf sinyal ön amplifikatörleri ve hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve askeri uygulamalara uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-18
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 2.5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V