Görsel mevcut değil
BCX71GE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23
BCX71GE6327HTSA1 Hakkında
BCX71GE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 45V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. DC current gain (hFE) değeri 120 olup, 250MHz geçiş frekansı ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 330mW maksimum güç tüketimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir. Audio amplifikaları, düşük seviye sinyal amplifikasyonu, ön amplifikatör ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Düşük collector cutoff akımı (20nA) ve düşük saturation voltajı (550mV) ile hassas devrelerde kullanım açısından uygun özelliklere sahiptir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V