Görsel mevcut değil
BCX56H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR NPN SOT89
BCX56H6327XTSA1 Hakkında
BCX56H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. Surface mount SOT89 (TO-243AA) paketinde sunulan bu bileşen, 1A maksimum kollektor akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ve 40 minimum DC akım kazancı (150mA, 2V koşullarında) ile moderate hız uygulamalarına uygun özelliklere sahiptir. 2W maksimum güç kapasitesi ve 500mV saturation voltajı sayesinde güç tüketim kritik olan devrelerde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Audio amplifikatörler, genel anahtarlama devreleri ve düşük-orta güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V