Görsel mevcut değil
BCX5616H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT89-4
BCX5616H6327XTSA1 Hakkında
BCX5616H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-243AA (PG-SOT89) surface mount paketinde sunulan bu komponent, düşük seviyeli sinyallerin anahtarlanması ve amplifikasyonu gereken uygulamalarda kullanılır. 1A maksimum kollektor akımı, 100MHz transition frequency ve 80V breakdown voltajı ile genel amaçlı RF ve AF uygulamalarına uygundur. 2W maksimum güç harcama kapasitesi ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile geniş sıcaklık aralığında güvenli işletme sağlar. Vce saturation voltajı 500mV (50mA/500mA koşullarında) olup, anahtarlama devrelerinde düşük kaybı işaret eder. Minimum 100 DC current gain, hassas amplifikasyon gerektiren tasarımlarda kullanılabilirliğini gösterir. Ürün, yeni tasarımlar için tercih edilmeyen eski nesil komponentin olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V