Görsel mevcut değil
BCX5416H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT89-4
BCX5416H6327XTSA1 Hakkında
BCX5416H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT89-4 (TO-243AA) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı RF ve AF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A collector akımı, 100MHz transition frequency ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç seviyesinde çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 2W güç dağıtabilir. DC current gain (hFE) minimum 100 olup, 150mA collector akımında ve 2V Vce'de ölçülmüştür. Saturation voltajı 500mV'dur. Sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve yüksek frekanslı uygulamalarda sıklıkla tercih edilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT89
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V