Görsel mevcut değil
BCX53H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT89-4
BCX53H6327XTSA1 Hakkında
BCX53H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-243AA (SOT89-4) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A collector akımı, 125MHz transition frequency ve 2W güç yeteneği ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi, 500mV saturation voltajı ve 40 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile cihazlar. Yüksek frekans ve düşük güçlü devrelerde, ses frekansı (AF) amplifikasyon ve hızlı anahtarlama işlevlerine uygun olup endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V