Görsel mevcut değil
BCX5316H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT89-4
BCX5316H6327XTSA1 Hakkında
BCX5316H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisi ile TO-243AA (SOT89-4) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1 A kollektör akımına, 125 MHz transition frequency'ye ve 80 V breakdown voltajına sahip olan bu bileşen, 2 W güç yönetimi kapasitesiyle orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen transistör, 100 @ 150mA, 2V nominal DC current gain (hFE) değerine ve 500mV saturation voltajına sahiptir. Düşük kolektör cutoff akımı (100nA ICBO) sayesinde sıfır sinyali performansı iyidir. Ses frekansı uygulamaları, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük sinyal amplifikasyon için uygun bir çözümdür. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için tavsiye edilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V