Görsel mevcut değil
BCX42E6433HTMA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 125V 0.8A SOT-23
BCX42E6433HTMA1 Hakkında
BCX42E6433HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-236-3/SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 125V kolektor-emiter gerilimi ve 800mA kolektor akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, 150MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 330mW maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde küçük sinyaller ve orta seviye akım amplifikasyonu gerektiren devrelerde uygulanır. Cep telefonları, pil şarj devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilebilir. Lojik seviyeleri kontrol etmek veya zayıf sinyalleri amplify etmek için kullanılan klasik bir PNP transistör çözümüdür. Not: Bu ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
900mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
125 V