Görsel mevcut değil
BCX19HZGT116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR (AEC
BCX19HZGT116 Hakkında
BCX19HZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montaj paketi ile sağlanan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. DC akım kazancı 100@100mA,1V koşullarında minimum 100 seviyesindedir. 200mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile gömülü sistemler, ses frekansı amplifikatörleri, darbe anahtarlama devreleri ve genel sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. AEC-Q200 yetkilendirmesi nedeniyle otomotiv endüstrisinde güvenilir bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
620mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V