Görsel mevcut değil
BCW68HE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 800MA SOT23-3
BCW68HE6327HTSA1 Hakkında
BCW68HE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür. SOT23-3 (SC-59) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, maksimum 45V Vce darbeleniminde 800mA kolektör akımı ile çalışabilir. 200MHz transition frequency ve en az 250 hFE kazancı ile orta frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 330mW güç tüketim kapasitesi ve 150°C işletme sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, sinyal değiştirme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. Küçük sinyal amplifikatörler, ses frekansı devreler ve düşük güçlü anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen statüsü yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V