Görsel mevcut değil
BCW68GE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 45V 0.8A SOT-23
BCW68GE6327HTSA1 Hakkında
BCW68GE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount SOT-23 paketlemesinde sunulmaktadır. Maksimum 45V collector-emitter voltajı ve 800mA collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 330mW güç sınırlamasına sahiptir. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. 150°C maksimum işletme sıcaklığı aralığında stabil çalışır. Tüketici elektroniği, otomotiv kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V