Görsel mevcut değil
BCW67BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 0.8A SOT-23
BCW67BE6327HTSA1 Hakkında
BCW67BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 32V kolektör-emitter gerilimi ve maksimum 800mA kolektör akımı ile çalışabilmektedir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalara uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında 330mW güç tüketebilir. Minimum 160 (hFE) DC akım kazancı ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, anahtar (switching) uygulamalarında ve genel amaçlı analog devrelerde kullanılır. Küçük boyutlu paketi sayesinde kompakt tasarımlar için elverişlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V