Görsel mevcut değil
BCW66KE6359HTMA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT23
BCW66KE6359HTMA1 Hakkında
BCW66KE6359HTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, AF (audio frequency) uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum kollektör akımı 800mA, 170MHz transition frequency ve 45V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 500mW güç dağıtımı kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışır. Ses amplifikasyon devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve genel sinyal işleme devrelerinde yer bulur. Düşük ICBO cutoff akımı (20nA max) ve 450mV saturasyon voltajı ile verimli anahtarlama sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V