Görsel mevcut değil
BCW66F
- Üretici
- Diotec Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- BJT SOT-23 45V 800MA
BCW66F Hakkında
BCW66F, Diotec Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 45V collector-emitter gerilimi ve 600mA collector akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 1V koşullarında minimum 160 değerine sahiptir. 300mW güç dağıtım kapasitesi ile ses amplifikatörleri, genel amaçlı anahtarlama devreleri ve düşük güçlü sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V