Görsel mevcut değil
BCW61C
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- GEN PUR
BCW61C Hakkında
BCW61C, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi silisiyum bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı uygulamalar için tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 250mW maksimum güç dağılımı ve 100MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. 32V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 550mV doyum voltajı ile düşük sinyalli devrelerde, ses sinyali işleme, saat devrelerinde ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş sıcaklık ortamlarına uyum sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V