Görsel mevcut değil
BCW60FNE6393HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR AF SOT23
BCW60FNE6393HTSA1 Hakkında
BCW60FNE6393HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. SOT23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu komponent, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250MHz transition frequency ile RF ve yüksek frekans devrelerde çalışmaya uygundur. 100mA maksimum kolektör akımı ve 380 minimum DC akım kazancı ile orta seviye akım uygulamalarında tercih edilir. Audio ön aşaması, sinyal işleme, genel amaçlı amplifikasyon ve dijital lojik sürücülük gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 32V VCEO diyelectric dayanımı ve 150°C işletme sıcaklığı ile geniş çalışma aralığı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V