Görsel mevcut değil
BCW60FFE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3
BCW60FFE6327HTSA1 Hakkında
BCW60FFE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile karakterize edilir. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygun bir bileşendir. SOT23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketine sahip olup kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. 250 minimum DC akım kazancı (hFE) ile güvenilir amplifikasyon sağlar. Ses frekans amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Maksimum 330mW güç dissipasyonu kapasitesine sahiptir. Not: Bu parça yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V