Görsel mevcut değil
BCW60DE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
BCW60DE6327HTSA1 Hakkında
BCW60DE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, küçük işaret amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 32V maksimum Vce derecelendirilmesi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 380 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, düşük güç tüketimli devreler için uygundur. 250MHz geçiş frekansı ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paket format, kompakt PCB tasarımlarında kullanılmaya müsaittir. Maksimum 330mW güç dağıtımı kapasitesi bulunan komponent, ses amplifikatörleri, lojik seviyeleri değiştirme, sinyal çoğaltma ve düşük güç RF uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. Cihazın 150°C maksimum çalışma sıcaklığı geniş endüstriyel uygulamaları destekler.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V