Görsel mevcut değil
BCW60BE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23
BCW60BE6327HTSA1 Hakkında
BCW60BE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 32V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı ile çalışabilir. 250MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 330mW maksimum güç tüketimi ile düşük güç uygulamalarına uygundur. Minimum 180 DC akım kazancı (hFE) sayesinde kontrollü amplifikasyon sağlar. -40°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunmaktadır. Düşük akım (100mA), düşük gerilim (32V) ve kompakt boyutası nedeniyle sinyal işleme, anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu komponent yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V