Görsel mevcut değil
BCW33LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 100MA SOT23-3
BCW33LT1G Hakkında
BCW33LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. Maksimum kolektör akımı 100 mA, kolektör-emiter gerilimi 32 V olan bu transistör, 300 mW güç tüketimine kadar tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 2 mA, 5 V şartlarında minimum 420 değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama devre uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı transistör işlevleri için kullanılır. Rendrez kontrol, dijital mantık arabirimleri ve düşük güçlü RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V