Görsel mevcut değil
BCW32,215
- Üretici
- Nexperia
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 100MA TO236AB
BCW32,215 Hakkında
BCW32,215, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük gücü uygulamalar için tasarlanmıştır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi, 100mA maksimum collector akımı ve 100MHz transition frekansı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerine uygundur. 200 minimum DC current gain (hFE @ 2mA, 5V) ve 210mV maksimum saturation gerilimi ile karakterize edilir. 250mW maksimum güç tüketimi ile sınırlı olan bu bileşen, taşınabilir cihazlar, tüketici elektroniği, sensör arayüzleri ve düşük sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir ve active durumdaki parçalar hızlı tedarik edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
250 mW
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
210mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V