Görsel mevcut değil
BCW30LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 100MA SOT23-3
BCW30LT1G Hakkında
BCW30LT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montajlı paket içerisinde gelen bu transistör, 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. 215 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 300mV saturation gerilimi, düşük güç tüketimi gerektiren devrelerde etkili çalışmasını sağlar. -65°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında, portable elektronik cihazlar, ses amplifikatörleri, inverter kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 300mW güç yönetimi kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
215 @ 2mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V