Görsel mevcut değil
BCW 66G E6327
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
BCW 66G E6327 Hakkında
BCW 66G E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 45V Vce ile çalışabilir ve 800mA'e kadar collector akımını yönetir. 170MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mA'de 160 minimum hFE akım kazancı ve 330mW maksimum güç yayılımı kapasitesi sayesinde genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Audio amplifikatörleri, low-power switching devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. Entegre yapılar ve düşük güçlü elektronik tasarımlarında yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V