Görsel mevcut değil
BCW 66F E6327
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
BCW 66F E6327 Hakkında
BCW 66F E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür (BJT). Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, 45V maksimum Vce değeri ve 800mA maksimum kolektör akımı ile çalışabilir. 170MHz transition frequency ile düşük-orta frekanslı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 330mW maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, genel amaçlı sinyalleme, ses frekansı amplifikasyonu ve DC anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. Minimum 100 hFE DC current gain değeri ile orta kazanç karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
170MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
450mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V