Görsel mevcut değil
BCP5616H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT223
BCP5616H6327XTSA1 Hakkında
BCP5616H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount TO-261-4 (SOT223) paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum collector-emitter gerilimi ile 1A'e kadar collector akımı kaldırabilen bu komponent, 100MHz transition frequency ve 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 2W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile 150°C'ye kadar çalışabilir. Düşük saturation voltajı (500mV @ 500mA) nedeniyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. Özellikle düşük sinyal seviyesi gerekli olan devrelerde, RF amplifikasyonunda ve hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılan bir transistördür. Ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V