Görsel mevcut değil
BCP5616E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT-223
BCP5616E6327HTSA1 Hakkında
BCP5616E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-223 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80V kolektör-emitör gerilimi ve 1A kolektör akımı ile çalışabilir. 2W güç seviyesinde dizayn edilmiş olup, 100MHz transition frequency'ye sahiptir. Dc current gain (hFE) minimum 100 değerinde (150mA, 2V koşullarında) belirtilmiş, maksimum kolektör cutoff akımı 100nA'dır. 150°C maksimum junction sıcaklığında kullanılabilen bu transistör, düşük sinyal amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Saturation voltajı maksimum 500mV (50mA base akımı, 500mA kolektör akımı) olarak tanımlanmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V