Görsel mevcut değil
BCP5610E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 1A SOT-223
BCP5610E6327HTSA1 Hakkında
BCP5610E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount teknolojisinde TO-261-4 (SOT-223) paketinde sunulmaktadır. 80V maksimum Vce(BR)CEO dağılma gerilimi ile 1A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 100MHz geçiş frekansı ve 2W maksimum güç tüketimi ile işaret amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı DC amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar. Düşük sinyal ve orta seviye anahtarlama devreleri, opto-çıkış uygulamaları ve gerilim düzenleme devrelerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V