Görsel mevcut değil
BCP55H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT223
BCP55H6327XTSA1 Hakkında
BCP55H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlü (BJT) bir tekil transistördür. 60V maksimum VCE, 1A maksimum kolektör akımı ve 2W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile yüksek hızlı switching işlemleri gerçekleştirebilir. 40 minimum DC gain (hFE) değeri ve 500mV saturation voltajı ile analog sinyal işleme, amplifikasyon ve switching devrelerinde uygulanabilir. SOT223 yüzey montajı paketi, kompakt tasarımlar için avantajlı olup endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi ve RF uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile güvenilir ısıl performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V