Görsel mevcut değil
BCP5516H6327XTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 1A SOT223
BCP5516H6327XTSA1 Hakkında
BCP5516H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 60V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile çalışabilen bu komponent, 2W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. SOT223 (TO-261-4) yüzey montajlı paket içinde sunulan komponent, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri tasarımlarında kullanılabilir. 500mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olup, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile stabil performans sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
PG-SOT223-4-10
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V